品名 | 内置内存 (程序容量) | 规格 | 订货产品号 | |||||
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I/O点数 | 电源 电压 | 输入 规格 | 输出 规格 | 端子形状 | ||||
FP0R-C10 控制单元 | EEP-ROM (16K步) | 10点 | 输入6点 输出4点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 继电器2A | 端子台 | AFP0RC10RS |
FP0R-C10 控制单元 (带RS232C端口) | EEP-ROM (16K步) | 10点 | 输入6点 输出4点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 继电器2A | 端子台 | AFP0RC10CRS |
FP0R-C10 控制单元 (带RS485端口) | EEP-ROM (16k步) | 10点 | 输入6点 输出4点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 继电器2A | 端子台 | AFP0RC10MRS |
FP0R-C14 控制单元 | EEP-ROM (16K步) | 14点 | 输入8点 输出6点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 继电器2A | 端子台 | AFP0RC14RS |
FP0R-C14 控制单元 (带RS232C端口) | EEP-ROM (16K步) | 14点 | 输入8点 输出6点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 继电器2A | 端子台 | AFP0RC14CRS |
FP0R-C14 控制单元 (带RS485端口) | EEP-ROM (16k步) | 14点 | 输入8点 输出6点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 继电器2A | 端子台 | AFP0RC14MRS |
FP0R-C16 控制单元 | EEP-ROM (16K步) | 16点 | 输入8点 输出8点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RC16T |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RC16P | |||||||
FP0R-C16 控制单元 (带RS232C端口) | EEP-ROM (16K步) | 16点 | 输入8点 输出8点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RC16CT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RC16CP | |||||||
FP0R-C16 控制单元 (带RS485端口) | EEP-ROM (16k步) | 16点 | 输入8点 输出8点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RC16MT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RC16MP | |||||||
FP0R-C32 控制单元 | EEP-ROM (32K步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RC32T |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RC32P | |||||||
FP0R-C32 控制单元 (带RS232C端口) | EEP-ROM (32K步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RC32CT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RC32CP | |||||||
FP0R-C32 控制单元 (带RS485端口) | EEP-ROM (32k步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RC32MT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RC32MP | |||||||
FP0R-T32 控制单元 (带RS232C端口、实时/时钟功能) | EEP-ROM (32K步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RT32CT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RT32CP | |||||||
FP0R-T32 控制单元 (带RS485端口?实时/时钟功能) | EEP-ROM (32k步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RT32MT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RT32MP | |||||||
FP0R-F32 控制单元 (带RS232C端口?无电池全数据自动备份功能) | EEP-ROM (32K步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RF32CT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RF32CP | |||||||
FP0R-F32 控制单元 (带RS485端口?无电池全数据自动备份功能) | EEP-ROM (32k步) | 32点 | 输入16点 输出16点 | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶体管 NPN 0.2A | MIL连接器 | AFP0RF32MT |
晶体管 PNP 0.2A | AFP0RF32MP |
※ | 控制单元附带于电源电压订货产品号(AFPG805)。 |
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电工网讯:目前常用的三元正极材料主要有NMC和NCA,NMC根据各组分的比例又可分为NMC111/532/622/811等,将NMC中Mn元素替换成更为的Al元素就生成NCA材料,两者都可以看做在LiNiO2的基础上的掺杂改性,利用两种材料的锂电池容量衰减原因基本一样。目前常用的三元正极材料主要有NMC和NCA,NMC根据各组分的比例又可分为NMC111/532/622/811等,将NMC中Mn元素替换成更为的Al元素就生成NCA材料,两者都可以看做在LiNiO2的基础上的掺杂改性,利用两种材料的锂电池容量衰减原因基本一样。下面以NMC来进行分析,六方层状多元正极材料LiNi1-x-yCoxMnyO2可以看成层状LiNiO2中Ni用过渡金属Co和Mn取代部分Ni的产物。通过引入Co阳离子混合占位情况,有效材料的层状结构,引入Mn则可以成本材料的性和性。三元材料具有更优异的电化学性能和性,已经被主流锂电厂商接受,应用于电动车、3C等领域。三元材料锂电池容量的衰减可以从以下几方面进行分析:一、正极材料的结构变化正极材料是锂离子的主要来源,当锂离子从正极中脱出时候,为了维持材料电中性状态,金属元素必然会被氧化到达一个高的氧化态,这里就伴随了组分的转变。组分的转变容易相转移和体相结构的变化。电极材料相转变可以引起晶格参数的变化及晶格失配,由此产生的诱导应力引起晶粒的破碎,并引发裂纹的传播,造成材料的结构发生机械,从而引起电化学性能衰减。KIM[1]等对层状LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料的微观结构进行了研究分析,由于Li+(0.76)与Ni2+(0.69)有相近的离子半径,富镍材料较易出现Ni2+向Li+空穴迁移的情况,产生结构的无序性;体积的反复变化活性材料产生裂纹及孔隙,随着循环的进行,材料结构逐渐由菱方结构转变成尖晶石相,在循环初期结构的激烈变化容量及电压的快速衰退。二、负极材料结构商业化锂电池常用的负极材料有碳材料、钛酸锂等,本文以典型负极石墨进行分析。锂电池容量的衰减次发生于化成阶段,在这个阶段会在负极表面形成SEI,消耗部分锂离子。
传感器PM-R25