2.1每块磁铁中部的磁场强度小，靶材溅射沟浅；磁铁间缝隙磁场强度大，溅射沟深。
磁铁中部的磁场强度小，缝隙磁场强度大，这一现象是由磁铁的物理属性造成的。磁场强度大的地方溅射沟深，这是因为磁场强度大的区域二次电子和离子密度大；磁场强度小的地方溅射沟浅，这是因为磁场强度大的区域二次电子和离子密度小。
2.2靶材报废时溅射沟中心线不在磁铁N、S极正中间，而是偏向外边即N极12.5㎜左右，新靶溅射沟的中心线，偏向N极8.5㎜左右。
离子在向阴极运动过程中，受到正交电磁场的作用而发生偏转，因此溅射沟中心线不在磁铁N、S极正中间，而是偏向N极，离子体距离新靶的靶面近，离子的偏移量小，因此溅射沟的中心线只偏向N极8.5mm左右，而旧靶的溅射沟距磁铁近，磁场强度大，并且距离子远，偏移量大，因此溅射中心线偏向N极12.5mm左右。V23C23RJBX-35、V23C24RJBX-35、V23C11RJBX-35、V23C22RJBX-35、V23C12RJNX-35、
DAIKIN柱塞泵V15A3LX-95日本大金V15A3LX-95，V23C13RJNX-35、V23C14RJNX-35、V23C23RJNX-35、V23C24RJNX-35、V23C11RJNX-35、
V23C22RJNX-35、V23C12RJPX-35、V23C13RJPX-35、V23C14RJPX-35、V23C23RJPX-35、
V23C24RJPX-35、V23C11RJPX-35、V23C22RJPX-35、V38C12RJAX-95、V38C13RJAX-95、
V38C14RJAX-95、V38C23RJAX-95、V38C24RJAX-95、V38C11RJAX-95、V38C22RJAX-95、
V38C12RJBX-95、V38C13RJBX-95、V38C14RJBX-95、V38C23RJBX-95、V38C24RJBX-95、
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靶材溅射沟随磁中、磁隙呈波浪状起伏，在磁铁中部溅射沟偏向中间，即S极，在磁铁缝隙溅射沟偏向外边，即N极。其原理同上。
2.4靶材两端圆弧段比中间直线段的溅射沟要深一些，约25%。
虽然圆弧段比中间直线段磁场强度要小很多，但因为电子运动到该处受到阻塞，再加上泵抽效应的影响，致使该处的等离子体密度大，溅射效率高，溅射沟深。
2.5 HRC-5100型靶的靶长2695mm而玻璃最大宽度为2134mm，即靶材的两边有（2695-2134）/2=561/2=280.5mm没有有效地沉积到玻璃上。玻璃的边缘约对应靶的第4个孔和第32孔，从（表1）可以看出，溅射沟两端最深处的溅射，基本没有沉积到玻璃上，而该处靶材溅射效率却最高，造成靶材过早地报废。
为了消除边缘效应、泵抽效应，使膜层横向均匀，而人为将靶设计宽一些，同时为满足磁控溅射工艺，将磁场设计成环形，防止电子流失控。
如果我们适当地降低靶材两端的磁铁强度，这样就可以既不影响整板玻璃的横向色差均匀度，又能减少高溅射速率区域的溅射速率，提高靶材寿命。
3.靶材磁场的调整
3.1 找出调整点
根据表1我们不难看出，靶材直线段最深处一般不超过21.0mm，而圆弧段都超过21.0mm，因此我们把深度超过21.0mm的点定为调整点。在靶材的上半部，共有左圆弧段磁隙、圆弧段中部、33孔、31孔、3孔和圆弧段中部六个点的磁场需要调整，在靶材的下半部，共有圆弧段中部、33孔、11孔、7孔、5孔、4孔、3孔、圆弧段中部和右圆弧段磁隙九个点的磁场需要调整。
3.2调整的标准
在表1中我们可以看出，同样的磁场强度，由于所处的位置不同，其左、右磁场强度的不同，都会造成溅射深度的不同。因此很难明确指出应当将调整点的磁场强度调整到某个数值，或降几个百分点，这需要凭经验来摸索。有一点非常关键，在调整圆弧段磁场强度时，如果降得过多，将造成无法保持电子流，无法形成异常辉光放电，也就无法形成溅射。
DAIKIN柱塞泵V15A3LX-95日本大金V15A3LX-95，3.3调整的方法
3.3.1先准备一些低碳钢条，6mm宽，3mm厚，20～100mm长。
3.3.2将磁铁上的压紧铝排拆下，刮干净磁铁上的锈迹。
3.3.3在调整点的磁铁中部放上钢条，模拟靶材表面的实际高度，测量该点的磁场强度，根据测量值，调整钢条的长度，装上铝压排、铜板和新靶材，在这套靶材将要报废时，再次测量靶材磁场强度和溅射深度，作为再次调整磁场强度的依据。磁场强度的调整，是一个非常细致，需要耐心和经验的工作，某一点磁场强度的改变，都会造成旁边两个点的磁场强度改变。
通过对调整后几套靶的实际使用效果观察，我们发现一套靶中溅射沟最浅处同比增加2.8mm，一套靶的利用率提高了约11%，按现在每套钛靶4.2万元，每年消耗16套靶，不锈钢靶3.4万元，每年消耗6套计算，每年可节约资金约9.64万元。同时可延长换靶周期11%，增加了有效工作时间。
