公司现采用成熟的低氧工艺，磁体的氧含量可以控制在1000ppm内。可以满足较高性能 的工艺要求。近年又通过技术开发，逐渐研发了渗镝技术工艺，大大的提高了磁体的内禀矫顽力，磁体Hcj 可以提高4000-8000KOe。满足客户高温老化要求同时增加产品的市场竞争力。研发团队经过严格的过程控制方法，突破了细化晶粒工艺，磁体的晶粒尺寸可以控制在4-6nm如图，晶粒尺寸细小均匀，大幅度提高磁体内禀矫顽力。
