Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
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真空腔 |
1 set, 主体不锈钢,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
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离子源 |
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
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离子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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极限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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刻蚀性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
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离子源型号 |
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Discharge |
DC 热离子 |
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离子束流 |
>250 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
7.5 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-15 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
20.1 cm |
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直径 |
14 cm |
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中和器 |
灯丝 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
试验结果:
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。
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