什么是“硅半导体压力传感器”？
硅半导体传感器属于压阻式传感器，一般分为扩散硅传感器和单晶硅传感器。在半导体材料中，电阻率改变会引起测量信号发生变化，这些都是因晶体结构中电子移动发生变化而产生的，而电子移动又会受到机械载荷的影响。敏感的硅芯片及过程介质被不锈钢膜片（封装）隔离。根据具体应用要求，石蜡油或硅油可用作导压流体，用于内部压力变送。
什么是“陶瓷厚膜压力传感器”？
传感器基体采用一体式陶瓷制成，而厚膜电阻直接印刷在其膜片背面。在这一面，环境气压起到参考压力的作用，因此这种方法原则上只能测量表压。陶瓷测量芯体具有出色的长期稳定性和耐腐蚀性，因而从同类产品中脱颖而出。由于陶瓷无法被焊接至过程连接中，因此需要用密封件实现介质隔离。在陶瓷薄膜技术中，四个电阻彼此连接，形成惠斯通电桥。膜片在受压时，中央区域会产生应变，边缘区域则形成压缩力，二者同时作用于电阻。在陶瓷芯体中，测量膜片同时也起到隔离介质的作用。该技术无需内部导压流体。
什么是“金属薄膜压力传感器”？
传感器基体由不锈钢制成，电阻结构采用光刻技术生产。薄膜测量芯体能够有效耐受峰值压力和爆破压力，因而从同类产品中脱颖而出。即便是极高的压力，甚至在高冲击和高振动载荷下，也能可靠测量。在金属薄膜技术中，四个电阻彼此连接，形成惠斯通电桥。膜片在受压时，中央区域会产生应变，边缘区域则形成压缩力，二者同时作用于电阻。在薄膜芯体中，测量膜片同时也起到隔离介质的作用。该技术无需内部导压流体。一般而言，薄膜技术仅用于表压测量，这是因为在薄膜背面形成真空需要较为复杂的结构设计。
