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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制气体传感器 WO3 薄膜
发布者:bdqysh  发布时间:2021-01-22 14:35:40

某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO3 薄膜经过对比选择采用  KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO3 薄膜.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号并将计算机与被检测到的信号连接口相连接构成自动的监控、检测系统氧化钨薄膜可以吸附各种气体从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化常常应用于气体传感器领域.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

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