SIPMOS®小信号晶体管P通道增强模式雪崩额定VGS(th)=-2.1...-4.0V
标记BSP的VDSIDRDS-60V包170V-1.7A0.35ΩSOT-223类型订购代码磁带和卷轴信息BSP170Q67000-S...E6327
大额定参数符号值单元连续排水电流TA=25°CID-1.7A直流排水电流，
脉冲TA=25°CIDpuls-6.8雪崩能量，单脉冲ID=-1.7A，VDD=-25V，RGS=25ΩL=3.23mH，
Tj=25°CEAS8mJ门源电压VGS±20V功散TA=25°C
大额定值参数符号值单位芯片或工作温度Tj-55…+150°C存储温度温度-55…+150热阻，芯片对环境空气1)RthJA≤70K/W热阻，接焊点1)RthJS≤10IEC气候类别，DINIEC68-155/150/56
