随着人们生活节奏的加快，快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便，充电器小型化是必然，提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如华润微华晶超结mos管使用，使用GaN和SiC材料等。
在PD快充中，一般会用到三颗MOSFET,分别是初级高压MOSFET、次级SR-MOSFET、VBUS-MOSFET，华润微超结MOS在PD快充上的应用，有相应具体型号与其相对应。与同行相比，在EMI和效率上拥有出色的性能表现。
