●符合RoSH环保 有
●兼容性 ATAPI-6和Ture IDE
●闪存技术 NAND型SLC Flash
●样式 CF卡Ⅰ型
◆连接 50针插孔
●系统性能
◆数据传输方式 PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率 66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读 40.0MB/sec(Max)
◆连续写 20.0MB/sec(Max)
◆平均访问时间 0.2ms(估计)
●环境指标
◆工作温度 -40℃ ~ +85℃
◆非工作温度 -50℃ ~ +95℃
◆湿度 5% ~95%(无凝结)
◆噪声 0db
◆抗震动 15G,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆电压要求 +5V±10% ; +3.3V±5%
◆读电流 124.00 mA(Max.);
◆写电流 121.00 mA(Max.);
◆休眠模式电流 1.80 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF(无故障工作时间) 1.000.000小时以上
◆纠错码 采用4 bits ECC Code
◆读写次数 2.000.000次
◆数据可靠性 每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误
◆数据保存期 10年
●物理尺度
◆重量 (最大的) 15.0 g (0.53 oz )
◆尺寸(宽*长*高) 42.8mm*36.4mm*3.3mm
●质保 5年 |
工作温度 |
-40℃ ~ +85℃ | |||
封装类型 |
采用金属封装 | |||
传输方式 |
PIO-4 |
UDMA-4 | ||
类型 |
存储盘 |
启动盘 |
存储盘 |
启动盘 |
128M |
WRCFC128M-HAISI-PR |
WRCFC128M-HAISI-PF |
WRCFC128M-HAISI-UR |
WRCFC128M-HAISI-UF |
256M |
WRCFC256M-HAISI-PR |
WRCFC256M-HAISI-PF |
WRCFC256M-HAISI-UR |
WRCFC256M-HAISI-UF |
512M |
WRCFC512M-HAISI-PR |
WRCFC512M-HAISI-PF |
WRCFC512M-HAISI-UR |
WRCFC512M-HAISI-UF |
1G |
WRCFC001G-HAISI-PR |
WRCFC001G-HAISI-PF |
WRCFC001G-HAISI-UR |
WRCFC001G-HAISI-UF |
2G |
WRCFC002G-HAISI-PR |
WRCFC002G-HAISI-PF |
WRCFC002G-HAISI-UR |
WRCFC002G-HAISI-UF |
4G |
WRCFC004G-HAISI-PR |
WRCFC004G-HAISI-PF |
WRCFC004G-HAISI-UR |
WRCFC004G-HAISI-UF |
8G |
WRCFC008G-HAISI-PR |
WRCFC008G-HAISI-PF |
WRCFC008G-HAISI-UR |
WRCFC008G-HAISI-UF |
16G |
WRCFC016G-HAISI-PR |
WRCFC016G-HAISI-PF |
WRCFC016G-HAISI-UR |
WRCFC016G-HAISI-UF |