●符合RoSH环保 有
●兼容性 ATAPI-6和Ture IDE
●闪存技术 NAND型SLC Flash
●样式 PCMCIA卡Ⅱ型
◆连接 68针插孔
●系统性能
◆数据传输方式 PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率 66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读 40.0MB/sec(Max)
◆连续写 20.0MB/sec(Max)
◆平均访问时间 0.2ms(估计)
●环境指标
◆工作温度 0℃ ~ 70℃
◆非工作温度 -20℃ ~ +85℃
◆湿度 5% ~95%(无凝结)
◆噪声 0db
◆抗震动 15G,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.000G ,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆电压要求 +5V±10% ; +3.3V±5%
◆读电流 124.00 mA(Max.);
◆写电流 121.00 mA(Max.);
◆休眠模式电流 1.80 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF(无故障工作时间) 1.000.000小时以上
◆纠错码 采用4 bits ECC Code
◆读写次数 2.000.000次
◆数据可靠性 每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误
◆数据保存期 10年
●物理尺度
◆重量 (最大的) 60.0 g (2.12 oz)
◆尺寸(宽*长*高) 54.0mm*85.6mm*5.0mm
●质保 3年 |
工作温度 |
0℃ ~ 70℃ | |||
封装类型 |
采用金属封装 | |||
传输方式 |
PIO-4 |
UDMA-4 | ||
类型 |
存储盘 |
启动盘 |
存储盘 |
启动盘 |
128M |
SRAFC128M-HACSC-PR |
SRAFC128M-HACSC-PF |
SRAFC128M-HACSC-UR |
SRAFC128M-HACSC-UF |
256M |
SRAFC256M-HACSC-PR |
SRAFC256M-HACSC-PF |
SRAFC256M-HACSC-UR |
SRAFC256M-HACSC-UF |
512M |
SRAFC512M-HACSC-PR |
SRAFC512M-HACSC-PF |
SRAFC512M-HACSC-UR |
SRAFC512M-HACSC-UF |
1G |
SRAFC001G-HACSC-PR |
SRAFC001G-HACSC-PF |
SRAFC001G-HACSC-UR |
SRAFC001G-HACSC-UF |
2G |
SRAFC002G-HACSC-PR |
SRAFC002G-HACSC-PF |
SRAFC002G-HACSC-UR |
SRAFC002G-HACSC-UF |
4G |
SRAFC004G-HACSC-PR |
SRAFC004G-HACSC-PF |
SRAFC004G-HACSC-UR |
SRAFC004G-HACSC-UF |
8G |
SRAFC008G-HACSC-PR |
SRAFC008G-HACSC-PF |
SRAFC008G-HACSC-UR |
SRAFC008G-HACSC-UF |
16G |
SRAFC016G-HACSC-PR |
SRAFC016G-HACSC-PF |
SRAFC016G-HACSC-UR |
SRAFC016G-HACSC-UF |