HONEYWELL 51404092-200些应用正变得更加复杂，需要更多的SRAM，正如半导体工艺的缩小使生产适当设备功能所需的HONEYWELL 51404092-200a可稳定工作的SRAM变得更加困难那样。采用新的制造技术生产的45nm工艺SRAM将有助于以低成本实现高性能的芯片，因为它使用传统CMOS而不是硅绝缘体（SOI）材料这一比较昂贵的方法。
解决了不可避免的栅极电压变化所引起的问题
    随着LSI制造工艺的不断进步，进一步的小型化使晶体管特性发生了更大的变化，尤其是栅极限电压（Vth）＊2，它可能影响SRAM的工作。Vth的变化有两种形式。全面的Vth变化会出现在逐芯片或逐晶圆的情况下，晶体管形状会随栅极长度和栅极宽度不同等出现细微的差别。因此，它会在芯片中显示出同方向的偏差。以前全面Vth的变化是SRAM设计人员不得不克服主要挑战。
    相比之下，本机Vth变化是由半导体中的杂质状态的波动引起的，甚至在同样形
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