HONEYWELL 51404126-250因此，即使在温度增加和工艺变化条件下存储单元电气特性的对称性降低的情况下，也可以保证各种工作条件下存储单元读操作的稳定性。
 HONEYWELL 51404126-250   新型写辅助电路在存储单元的柱式单元电源线中增加了更精细的电源线（划分为8条），在某种意义上写操作所需的隔离只在必要的地方执行。而且，它可实现分层结构的电源布线。这将减少关键区域的电源线电容，有助于在高速时将电源线电位降到低电位。实验芯片的测量表明，与没有采用上述技术的SRAM设计相比，即使在最差坏条件（－40℃，最小工作电压和最差工艺条件）下，新型写辅助电路也可以显著改善SRAM的写速度。
新产品的尺寸为长14×宽8.6×高7mm。与以往产品的长20.2×宽11.2×高9.7mm相比，体积约为减少了6成多。
　　新产品的性能指标如下：接触电阻在AC10V、10mA、伏安法测定时为100mΩ以下。额定耗电量方面，单卷线闩锁型和单稳定型为200mW，
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