HONEYWELL 51404126-250因此，它是随机发生的且没有方向性。随着晶体管小型化的进展，本机Vth变化的问题首先出现在90nm工艺中。这是采用45nm工艺的嵌入式SRAM应用所必须面对的一个主要挑战。
HONEYWELL 51404126-250 半导体行业一直在积极推进实现稳定SRAM工作的技术进步。不过，影响45nm工艺的Vth变化问题需要技术上的进一步发展。瑞萨科技与松下共同开发了两种元件，采用了6晶体管型SRAM存储单元解决方案。一个是可对Vth变化进行自动调整的读辅助电路。另一个是采用分层结构电源布线的写辅助电路。
    新型读辅助电路的补偿功能采用了一种被动元件电阻功能，类似于存储单元的布局功能。由于存储单元变化和阻值的波动被联系在一起，从而减少了Vth变化的影响。这种补偿功能可以自动地调整与温度和工艺变化有关的电压。因此，即使在温度增加和工艺变化条件下存储单元电气特性的对称性降低的情况下，也可以保证各种工作条件下存储单元读操作的稳定性。
    新型写辅助电路在存储单元的柱式单元电源线中增加了更精细的电源线（划分为8条），在某种意义上写操作所需的隔离只在必要的地方执行。而且，它可实现分层结构的电源布线。这将减
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