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1C31203G01
1C31203G01
产品价格:¥888
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产地:美国
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详细说明

    — 1C31203G01芯片设计方法可保持温度和工艺变化条件下的SRAM稳定性,同时实现全球最小的0.245μm2的存储单元面积。
     
        日本东京和美国加利福尼亚州圣荷西——2007年2月13日——瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)与松下电器产业有限公司(纽约证券交易所代码:MC)今天宣布,共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS*1的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512Kb SRAM的实验芯片的测试已经得到证实,可以在宽泛的温度条件下(-40℃-125℃)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。采用45nm CMOS工艺生产的用于实验的SRAM芯片集成了两种不同的存储单元设计,一个元件面积仅有0.327μm2,另一个的元件面积为0.245μm 2——这是全球最小的水平。更小的存储单元是利用减少处理尺寸裕量实现的。
        这一技术进展的细节将在正在旧金山举行的2007国际固态电路会议(ISSCC 2007)的第18分组会议的18.3论文时段进行宣讲。该创新具有重大意义,因为SRAM是用于嵌入式控制应用的SoC和MPU的十分重要的片上功能。互相矛盾的趋势在于,这些应用正变得更加复杂,需要更多的SRAM,正如半导体工艺的缩小使生产适当设备功能所需的可稳定工作的SRAM变得更加困难那样。采用新的制造技术生产的45nm工艺SRAM将有助于以低成本实现高性能的芯片,因为它使用传统CMOS而不是硅绝缘体(SOI)材料这一比较昂贵的方法。

    1C31203G01解决了不可避免的栅极电压变化所引起的问题
        随着LSI制造工艺的不断进步,进一步的小型化使晶体管特性发生了更大的变化,尤其是栅极限电压(Vth)*2,它可能影响SRAM的工作。Vth的变化有两种形式。全面的Vth变化会出现在逐芯片或逐晶圆的情况下,晶体管形状会随栅极长度和栅极宽度不同等出现细微的差别。因此,它会在芯片中显示出同方向的偏差。以前全面Vth的变化是SRAM设计人员不得不克服主要挑战。
        1C31203G01相比之下,本机Vth变化是由半导体中的杂质状态的波动引起的,甚至在同样形状的相邻晶体管中也会出现。因此,它是随机发生的且没有方向性。随着晶体管小型化的进展,本机Vth变化的问题首先出现在90nm工艺中。这是采用45nm工艺的嵌入式SRAM应用所必须面对的一个主要挑战。
        半导体行业一直在积极推进实现稳定SRAM工作的技术进步。不过,影响45nm工艺的Vth变化问题需要技术上的进一步发展。瑞萨科技与松下共同开发了两种元件,采用了6晶体管型SRAM存储单元解决方案。一个是可对Vth变化进行自动调整的读辅助电路。另一个是采用分层结构电源布线的写辅助电路。
        新型读辅助电路的补偿功能采用了一种被动元件电阻功能,类似于存储单元的布局功能。由于存储单元变化和阻值的波动被联系在一起,从而减少了Vth变化的影响。这种补偿功能可以自动地调整与温度和工艺变化有关的电压。因此,即使在温度增加和工艺变化条件下存储单元电气特性的对称性降低的情况下,也可以保证各种工作条件下存储单元读操作的稳定性。
        新型写辅助电路在存储单元的柱式单元电源线中增加了更精细的电源线(划分为8条),在某种意义上写操作所需的隔离只在必要的地方执行。而且,它可实现分层结构的电源布线。这将减少关键区域的电源线电容,有助于在高速时将电源线电位降到低电位。实验芯片的测量表明,与没有采用上述技术的SRAM设计相比,即使在最差坏条件(-40℃,最小工作电压和最差工艺条件)下,新型写辅助电路也可以显著改善SRAM的写速度。
    新产品的尺寸为长14×宽8.6×高7mm。与以往产品的长20.2×宽11.2×高9.7mm相比,体积约为减少了6成多。
      1C31203G01新产品的性能指标如下:接触电阻在AC10V、10mA、伏安法测定时为100mΩ以下。额定耗电量方面,单卷线闩锁型和单稳定型为200mW,双卷线闩锁型为400mW。机械寿命方面,在开关频率为1分钟180次时,单稳定型为500万次以上,闩锁型为100万次以上。电气寿命方面,电阻负荷为DC10V,0.01A时为100万次以上,在电阻负荷为DC24V、0.01A时为30万次以上。重量约为2g。
    自动化仪表今年发展的重点在仪表的应用方面。这种发展趋势的变化是很自然的,数字化、智能化仪表和系统经过近10年的告诉发展,在应用方面积累了一些问题,智能仪表设计的许多创新功能也未得到充分的应用。主要问题有以下几点:
      (1)数字仪表和系统的信息保密和安全问题
      (2)微程序和软件的可*性问题。
      (3)通信的保密、安全和可靠性问题。
      (4)智能仪表在运行时是可以与控制系统互动的以及如何进行互动。
      (5)智能仪表提供了远比模拟仪表多的信息以及如何充分利用这些信息。
      (6)众多智能仪表的可互操作问题。
      (7)仪表和系统的故障诊断以及故障诊断信息的可互操作问题等。
      进入21世纪,我国制造业的高速发展,拉动了对自动化仪表与控制系统的需求,我国新上的大型项目所用自动化仪表和控制系统的先进程度已经处于世界领先水平。当前传统制造业在发达国家已经过了辉煌期,与之配套的自动化仪表自然就增长缓慢。自动化仪表发展的热点在新兴市场的价格问题从两个方面夹击仪表制造商,一是新兴市场的用户对产品价格敏感度很高;二是在那里往往可以找非常便宜的替代品,这样就难以激发跨国企业花大成本研制新型仪表。
      近10年自动化仪表技术发展的重要领域——现场总线技术的发展虽然取得了显著成就,但是在应用方面大体上还处在替代模拟传输线的阶段。实际上现场总线不仅仅是信号制式的改变,它是为控制技术的信息化提供基础的。用户对系统底层信息化(控制、诊断、管理)改造的需求是现场总线技术推广的原始动力。近些年来现场总线在设备资产管理、预测诊断和平稳操作等方面的潜力开始被挖掘出来,显现了极富发展前景的势头。
      1C31203G01但是基于现场总线技术的网络化控制和分布式只智能技术,到目前无论在理论上还是在实践上都未出现显著突破:而现场总线的速度瓶颈是的在复杂控制和快速响应方面有时还不如传统仪表:持续多年的现场总线之争至今在制造商中没有赢家,又使用户普通感觉厌倦,极大地消耗了各企业发展的资源。
      国际上反映自动化仪表产品动向的几个重要窗口:以ISAEXPO、Miconix等为代表的国际仪表展览,以Readers’ChoiceAward(读者选择奖)为代表的奖项。从近3年的读者选择奖看,获奖产品变化不多。自动化仪表今年发展的重点在仪表的应用方面。
      这种发展趋势的变化是很自然的,数字化、智能化仪表和系统经过近10年的告诉发展,在应用方面积累了一些问题,智能仪表设计的许多创新功能也未得到充分的应用。主要问题有以下几点。
      (1)数字仪表和系统的信息保密和安全问题
      (2)微程序和软件的可*性问题。
      (3)通信的保密、安全和可靠性问题。
      (4)智能仪表在运行时是可以与控制系统互动的以及如何进行互动。
      (5)智能仪表提供了远比模拟仪表多的信息以及如何充分利用这些信息。
      (6)众多智能仪表的可互操作问题。
      (7)仪表和系统的故障诊断以及故障诊断信息的可互操作问题等。
      1C31203G01上述问题都是由于数字化和网络化而产生的,并不是现有技术无法解决这些问题,只是可选的解决方案太多,而统一的解决方案才是最有效的。而如何统一是当前正在研究的。

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     1C31203G01
    1C31204G01

    Details about WORLD POWER SYSTEMS 7853N USPP 7853N
    MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MHIS0 INTERFACE BOARD JUMPER PROGRAM
    RELIANCE ELECTRIC 78095-Z USPP 78095Z
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    Details about SMC SV2000-N0-A1 USPP SV2000N0A1
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    OXFORD PRECISION 300-850
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    CP-114S 4-port RS-422/485 PCI Boards
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    JSR Sonix Ultrasonics RP-L1 Remote Pulse
    Yasnac Yaskawa 14" CRT display cover panel, USED, great condition
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