此次开发主要解决了在半导体晶圆上形成热电薄膜、触媒膜、电极、配线及加热器的传感器元件制造技术。同时，还提高了传感器的耐用性，降低了生产成本。作为热电转换元件的关键技术，确立了利用溅射蒸镀法形成SiGe膜之后进行热处理的薄膜成形技术。因为SiGe热电转换材料的热电特性高，非常适宜采用半导体工艺。为了使触媒不受大气中水蒸汽的影响而稳定地发挥作用，温度要维持在100℃。作为维持触媒温度的加热器集成技术，采用MEMS技術研制出隔热性很高的微加热器。将热电图、微加热器、触媒3个组成要素集成到了尺寸约为1×2mm2的薄膜上，制成了尺寸为4×4mm2的传感器芯片。

　　在以陶瓷为支撑材料的铂触媒耐用性试验中，将新开发的微型热电式氢气传感器放置在相对温度约为65%的室温环境中，持续工作了3个月，在此期间对它对100ppm，1000ppm和1%氢气浓度的反应特性进行了测试。结果证实，性能十分稳定。此次采用普通半导体工艺，就将微型传感器集成到了硅底板上，因此该公司认为，将来还可集成处理传感器信号的电子线路，因此便于小型化，以及通过量产降低生产成本，实用潜力很大。

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