OFweek工控网讯“富士康已经与印度马哈拉施特拉邦政府签署协议，将在未来5年内投资50亿美元建设电子制造工厂。
　　R88M-WP40030T-B据悉，此次交易由富士康创始人郭台铭和马哈拉施特拉邦首席部长德文德拉·法德纳维斯共同签署并宣布。郭台铭表示，富士康正在当地寻找合作伙伴。他拒绝透露，富士康是否将在这一工厂生产手机。
　　富士康的这一决定将是对印度总理莫迪“印度制造”战略的支持。根据这一战略，作为亚洲第三大经济体的印度将发展成为一个制造业大国。
　　此前，郭台铭表示正考虑在印度多个邦建立制造工厂，并寻找潜在合作伙伴。印度可协助富士康缓解中国工资上涨的压力。他曾预计，到2020年，富士康计划在印度建设10到12处设施，包括工厂和数据中心。
　　R88M-WP40030T-B富士康是全球最大电子品代工商，客户包括苹果、黑莓、小米、亚马逊等。通过在印度建设制造工厂，有助于富士康应对中国工人工资上涨的压力。目前，富士康的iPhone代工业务大部分位于中国。
富士康印度工厂
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2015中国机器人产业论坛武汉开幕美国密西根理工大学(Michigan Tech)透过结合石墨烯的高电子迁移率与氮化硼碳奈米管(BNNT)的绝缘层特性，期望开发出尺寸较矽(Si)更小且更具热效能的无半导体(semiconductor-less)异质接面电晶体，从而在国际半导体技术蓝图(ITRS)预期的2028年大限时接棒。
　　“我们对于这个研究主题的兴趣在于打造完全不使用半导体的电子元件。尽管其他人正致于解决矽基电晶体的根本问题，我们则大胆地从探索不使用半导体的电路着手。由于石墨烯提供了高电子迁移率，将它应用在数位交换器时，可带来具有吸引力的研究里程碑，”密西根理工大学教授Yoke Khin Yap表示，“研究结果显示在石墨烯上生长电子绝缘BNNT，可利用石墨烯带来高效益的数位交换器。”
　　R88M-WP40030T-B过去几年来，石墨烯已经成为各种先进研究的主题，但大部份的研究都着重于其零能隙特性进一步调整或加以掺杂，期望使其作为传统半导体的替代材料。然而，密西根理工大学则保留石墨烯零能隙导体的特性，进一步为其结合宽能隙的绝缘体BNNT，期望打造出一种矽晶无法超越的超高密度异质接面结构。

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