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冷却器清洗的知识管道运行一段时间后，表面往往会结一层污垢，污垢一般较为致密坚硬，热导率很小。所以在油冷却器使用一段时间之后就应该进行相应的清洗工作，下面我公司就为您讲解一下这方面的知识：
油冷却器在工业中应用广泛，工业油冷却器用途主要用于设备的冷却，用水量较大，同时为节约用水往往设置冷却塔使冷却水循环使用。冷却水在循环系统中不断循环使用，由于水的温度升高，水流速度的变化及水的蒸发，各种无机离子和有机物质的浓缩，冷却塔和冷水池在室外受到阳光照射，风吹雨淋，灰尘杂物的进入，以及设备结构和材料等多种因素的综合作用，会产生比直流系统更为严重的沉积物的附着、设备腐蚀和微生物的大量滋生以及由此形成的粘泥污垢堵塞管道等问题。冷却器的污垢是工业企业不可回避的重要问题。
冷却器结垢腐蚀四大原因及防腐六大措施
化工厂冷却器在换热过程中都存在着结垢堵塞和腐蚀问题，影响化工厂安全生产，针对冷却器结垢和腐蚀的原因和危害，我们总结了常见的结垢和腐蚀处理措施，为解决冷却器结垢和腐蚀问题提供借鉴！
冷却器在化工生产中占有重要地位，而冷却器机组结垢腐蚀，导致传热不够而被迫停车清洗或者冷却器的更换，严重时会影响安全生产的进行，更会增加企业运行的成本。

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结垢原因
1.颗粒结垢
悬浮于流体的固体微粒在换热表面上的积聚，一般是由颗粒细小的泥沙、尘土、不溶性盐类、胶状物、油污等组成。
当含有这些物质的水流经冷却器表面时，容易形成污垢沉积物，形成垢下腐蚀，为某些细菌生存和繁殖提供温床。当防腐措施不当时，终导致换热表面腐蚀穿孔而泄漏。
2.生物污垢
除海水冷却装置外，一般生物污垢均指微生物污垢。循环水系统中常见的微生物主要是铁细菌、真菌和藻类。
铁细菌能把溶于水中的Fe2+ 转化为不溶于水的Fe2O3 的水合物，在水中产生大量铁氧化物沉淀以及建立氧浓差腐蚀电池，腐蚀金属。
且循环水系统中的藻类常在水中形成金属表面差异腐蚀电池而导致沉积物下腐蚀。块状的还会堵塞冷却器中的管路，减少水的流量，从而降低换热效率。
3.结晶污垢
在冷却水循环系统中，随着水分的蒸发，水中溶解的盐类（如重碳酸盐）的浓度，部分盐类因过饱和而析出，而某些盐类则因通过冷却器传热表面时受热分解产生沉淀。这些水垢由无机盐组成、结晶致密，被称为结晶水垢。
4.腐蚀污垢
具有腐蚀性的流体或者流体中含有腐蚀性的杂质对换热表面腐蚀而产生的污垢。腐蚀程度取决于流体中的成分、温度及被处理流体的 pH 值等因素。
通常，冷却管中的污垢冷却管一般为紫铜管和黄铜管，金属腐蚀主要是较高温度下(40～50℃)的氧腐蚀，污垢以铜或铜合金腐蚀产物和钙镁沉淀物为主，从而造成大量腐蚀污垢。
5.凝固污垢
流体在过冷的换热面上凝固而形成的污垢。例如当水低于冰点而在换热表面上凝固成冰。温度分布的均匀与否对这种污垢影响很大。
金属腐蚀
冷却器大多数是金属质地，而在自然界中大多数金属常以矿石的形式，即金属化合物的形式存在，而腐蚀则是一种金属回复到自然状态的过程。
冷却器的腐蚀主要是指板片的腐蚀。与水质不纯、大气对水的污染、管内壁面状况以及水流速大小等因素均有着密切关系。
1. 化学腐蚀
金属与接触到的物质直接发生氧化还原反应而被氧化损耗的过程。
2. 电化学腐蚀
金属表面与电解质溶液因发生电化学作用而产生的电化学腐蚀是普遍、常见的腐蚀。电化学腐蚀通常又以应力腐蚀破裂、点蚀(小孔腐蚀)、缝隙腐蚀等局部腐蚀的形式出现。
3. 应力腐蚀
产生应力腐蚀必须具备特定的腐蚀环境和足够大的拉伸应力。CL-是造成应力腐蚀的另一个主要因素。CL- 半径小，穿透力极强，很容易穿透保护膜内极小的孔隙，破坏局部钝化膜而进入裂缝生成HCL，产生自加速催化加速腐蚀过程，同时 H+ 在析出，渗入裂缝前缘，可使金属脆化。
温度是引起应力腐蚀破裂的重要因素，温度愈高时引起腐蚀的 Cl- 浓度越低，也就愈易发生应力腐蚀破裂。
4. 生物腐蚀
主要是与冷却水系统的循环水等介质接触的金属表面上易引起生物腐蚀。生物腐蚀的原因是由于生物体会以有机缓蚀剂为食物，生物代谢产生酸，破坏金属耐腐蚀保护层，生物新陈代谢耗氧，造成金属表面 O2 浓度不均而引起氧浓差腐蚀。
冷却器防腐蚀措施
1. 合理的工艺设计
设计时，将蒸汽放在管程侧，避免高速气体流经壳程。壳程有较大流量介质时，可以设计多个壳程入口，缓冲压力，另外应设置防冲板，减少高速流体对设备造成的冲刷腐蚀。
为避免残留液和沉积物的滞留，焊接时尽量采用双面对接焊和连续焊，避免搭接焊和点焊。在焊接工艺中应根据实际经验，引起应力腐蚀破裂的应力主要是残余应力，而残余应力主要是由冷加工以及焊接引起的内应力所构成。
对冷加工件和焊接件进行热处理，有助于消除残余应力，从而也有助于防止应力腐蚀的产生。常采用应力退火热处理消除残余应力或其他消除残余应力的方法，如水压试验、振动时效及锤击等。


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AMC对当前的IC生产其潜在的污染比粒子污染要广泛多，粒子污染控制只要确定粒径及个数，但对AMC控制而言，除了受芯片线宽的缩小而变化外，并受工艺、工艺设备、工艺材料及园片传送系统等的影响，更有甚者用于某一工序的各种工艺材料(化学品、特种气体等)在很多情况下其微量的分子对下一工序往往可能是污染物，而园片加工工序当前已多于3多个独立工序，对AMC控制指标的确定更是复杂。IC生产对AMC的控制，对不同的产品、不同的工艺、不同的工序及不同的工艺材料会有不同的要求，对各种污染物质的要求当前总的说法是控制在亚pptm～1pptm间。

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