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新型超宽禁带半导体材料氧化镓纯度高 德盛供应4N5
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上架日期:2022-09-19 16:07:28
产地:济宁
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详细说明

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    英文名称:Gallium(III)oxide

    英文同义词:Ga2-O3;Gallia;β-Ga2O3;Gallicoxide;GALLIUMOXIDE;ium(III)oxide;galliumtrioxide;GalliuM()oxide;GallChemicalbookium()oxide;Galliumtrioxide

    中文名称:氧化镓

    中文同义词:氧化镓;三氧化二镓;氧化镓();氧化镓25G;氧化镓(III);氧化镓三氧化二镓;三氧化二镓(III);氧化镓,99.99 ;氧化镓Α-GA2O3;氧化镓Α-GA2O3

    分子式:Ga2O3

    氧化镓分子量187.44

    氧化镓Cas.  12024-21-4

    外观性状:白色三角形的结晶颗粒。不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。熔点1900(600℃时转化为β型)。易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。有α,β两种变体。α型为白色菱形六面体。

    用途:用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。

    包装:编织袋包装2550/公斤、1000公斤/吨包,纸板桶包装2550公斤/桶。

    近年来氧化镓晶体生长技术的突破性进展, 大地推动了相关的薄膜外延、日盲探测器、功率器件、高亮度紫外LED等器件的研究,是国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。

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