西门子ET200模块6ES7134-4GB10-0AB0

2AI, I, ST, 4-WIRE

西门子ET200模块6ES7134-4GB10-0AB0

低频运行（<10Hz）造成的IGBT芯片温度波动会减小使用寿命，具体内容可参考“【干货学院】浅谈温度对IGBT的影响”。

       通常对于运行周期中低频工作占比小于2%的情况下，现有S120电机模块电流最大需要降容至75%，对于Chassis-2，脉冲频率2.5 kHz则电流最大需要降容至90%，如果采用1.25 kHz的脉冲频率则不需要考虑降容。对于运行周期中低频工作占比大于2%的情况下，现有S120电机模块电流最大需要降容至50%，对于Chassis-2，脉冲频率2.5 kHz则电流最大需要降容至70%，如果采用1.25 kHz的脉冲频率最大需要降容至80%。

       可以说对比现有S120 Chassis-1，低频运行下Chassis-2 的降容减小了一半。

S120 Chassis-2的安装海拔高度及环境温度的降容表如下图，Chassis-2 的运行温度为-10°C~+45°C，环境温度高于45°C及安装海拔高度大于1000米需要考虑降容，同时Chassis-2 还给出了环境温度60°C的降容数据。

得益于新型IGBT，采用散热片及IGBT间传导率更高的新型导热膏，创新设计的散热片，优化的冷却系统及风扇，S120 Chassis-2的降容特性得到进一步优化，为工程应用提供了更加经济可靠的解决方案。