离子刻蚀 IBE原理

简单的来说, 离子刻蚀 IBE原理将氩气分解为氩离子, 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击, 以达到刻蚀的作用. 刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体, 然后由栅极将离子呈束状引出并加速, 具有一定能量的离子束进入工作室, 射向固体表面轰击固体表面原子, 使材料原子发生溅射, 达到刻蚀目的, 属纯物理刻蚀.

离子源应用于离子刻蚀 IBE
上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.
霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
样品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC


霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内


离子源 EH400HC 自动控制单元


霍尔离子源 EH400HC 通氩气


对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec


对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec

鉴于信息保密. 更详细的离子源应用欢迎拨打客服热线：021-5046-3511 /  021-5046-1322

霍尔离子源 EH400HC 特性:
1.高离子浓度, 低离子能量
2.离子束涵盖面积广
3.镀膜均匀性佳
4.提高镀膜品质
5.模块化设计, 保养快速方便
6.增加光学膜后折射率 (Optical index)      
7.全自动控制设计, 操作简易
8.低耗材成本, 安装简易

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域.

上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.