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伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜
伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜
产品价格:¥11
上架日期:2020-10-16 10:53:35
产地:美国
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详细说明

    为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O薄膜进行研究.

     

    其系统工作示意图如下:

     

     

    该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.

     

    其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

     

    用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:

     

    伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

    射频离子源型号

    RFICP 380

    Discharge 阳极

    射频 RFICP

    离子束流

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    30 cm Φ

    离子束

    聚焦

    流量

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    39 cm

    直径

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    推荐理由:

    聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

     

    用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000

     

    KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

    离子源型号

     

    霍尔离子源

    eH3000
    eH3000LO
    eH3000MO

    Cathode/Neutralizer

    HC

    电压

    50-250V
    50-300V
    50-250V

    电流

    20A
    10A
    15A

    散射角度

    >45

    可充其他

    Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

    气体流量

    5-100sccm

    高度

    6.0“

    直径

    9.7“

    水冷

    可选

     

    其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下:

    进气法兰

    氮气抽速
     N2,l/s

    极限真空 hpa

    前级泵

    型号

    前级泵抽速
     m³/h

    前级真空
    安全阀

    DN 40 ISO-KF

    35

    < 1X10-7

    Pascal 2021

    18

    AVC 025 MA

     

    运行结果:

    伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O薄膜.

     

    伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

     

     

    若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

    上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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