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上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000
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上架日期:2023-03-15 15:33:53
产地:美国
发货地:上海
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详细说明

    因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

    霍尔离子源 eH 3000

    KRI 霍尔离子源 eH 3000
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供更高离子束流的离子源.
    尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
    放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
    操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
    KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性
    • 水冷 - 加速冷却
    • 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
    • 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
    • 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
    • 等离子转换和稳定的功率控制
    KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数

    型号

    eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE

    供电

    DC magnetic confinement

      - 电压

    50-250V VDC

      - 离子源直径

    ~ 7 cm

      - 阳极结构

    模块化

    电源控制

    eHx-25020A

    配置

    -

     - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

     - 离子束发散角度

    > 45° (hwhm)

      - 阳极

    标准或 Grooved

     - 水冷

    前板水冷

     - 底座

    移动或快接法兰

     - 高度

    4.0'

     - 直径

    5.7'

     - 加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     - 工艺气体

    Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

     - 安装距离

    16-45”

     - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 可调角度的支架;
    KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD
    表面改性, 激活 SM
    直接沉积 DD
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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    上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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