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伯东 KRI 考夫曼离子源用于大口径光学元件 KDP 晶体的溅射与刻蚀
伯东 KRI 考夫曼离子源用于大口径光学元件 KDP 晶体的溅射与刻蚀
产品价格:¥11
上架日期:2020-11-09 15:23:12
产地:美国
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详细说明

    为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾(KDP)晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和消除 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光.

     

    该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀.

     

    其工作示意图如下:

     

    用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

    射频离子源型号

    RFICP 380

    Discharge 阳极

    射频 RFICP

    离子束流

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    30 cm Φ

    离子束

    聚焦

    流量

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    39 cm

    直径

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    推荐理由:

    聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

     

    用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数:

     离子源型号

     离子源 KDC 100 

    Discharge

    DC 热离子

    离子束流

    >400 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    12 cm Φ

    离子束

    平行

    流量

    2-20 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    23.5 cm

    直径

    19.4 cm

    中和器

    灯丝

    * 可选: 可调角度的支架

     

    推荐理由:

    使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀

     

    运行结果:

    1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内

    2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕

    3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的

     

    伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

     

     

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