Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:
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基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
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样品台 |
直接冷却（水冷）0-90 度旋转 |
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离子源 |
16cm |
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均匀性 |
±5% for 4”Ф |
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硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
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温度 |
<100 |
该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：
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离子源型号 |
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Discharge |
DC 热离子 |
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离子束流 |
>650 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
16 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-30 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
25.2 cm |
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直径 |
23.2 cm |
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中和器 |
灯丝 |
* 可选: 可调角度的支架
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.
其产品优势:
1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s
2.最佳真空性能，最低功耗
3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400
4.可在任何方向安装
5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量
6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接
7.广泛的配件扩展使用范围
运行结果:
1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.
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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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