产品简介
Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘
Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘
产品价格:¥11
上架日期:2020-11-25 15:40:01
产地:日本
发货地:本地至全国
供应数量:不限
最少起订:1台
浏览量:145
资料下载:暂无资料下载
其他下载:暂无相关下载
详细说明

    某薄膜磁盘制造采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘去除溅射镀制磁盘薄膜的污染物和提高薄膜的均匀性.

    Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:

    Model

    MEL3100

     

    Main body

    Wafer size

    3"6"

     

    Power
    Supply

    AC200V 3ph 40A

    Wafer per batch

    1 wafer

     

    *two lines

    Cassette

    No.

    25 wafers

     

    Cooling
    Water

    15 (l/min)

    Q'ty

    1pc.

     

    <20

    Throughput

    10 (wafer/hr) *1

     

    CDA

    0.5 (MPa)

    Pressure

    Ultimate

    8×10-5 (Pa) *2

     

    >10 (l/min)

    Process

    2×10-2 (Pa) *2

    N2

    0.2 (MPa)

    Etching

    Rate

    >10 (nm/min)@SiO2 *3

    >40 (l/min)

    Unibity

    ±5%@132mm (6") *3

    Ar

    0.2 (MPa)

    Wafer surface temp.

    <100 *3

    20 (sccm)

    Stage rotating

    120 (rpm) ±5%

    He

    0.2 (MPa)

    Stage tilting

    ±90°±0.5°

     

    20 (sccm)

    Dimension
    W×D×H (mm)

    Main body

    1,600×2,175×1,900

     

    *need additional utilities
      for Dry pump

    Controller

    640×610×1,900

     

    Chiller

    555×515×1,025

     

     

     

    Weight (kg)

    Main body

    1,700

     

     

     

    Controller

    200

     

     

     

    Chiller

    100

     

     

     

    *1: Estimated process time 5min

     

     

     

    *2: No wafer on stege / process chamber

     

     

     

    *3: Depending on process

         

     

    Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势:

    1. 所有流程全自动减少人工操作从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量

    2. 盒式房间采用高效微粒过滤器

    3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源保证良好的均匀性和高蚀刻率

    4. 占用空间小

    5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人

    6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸数据记录可以显示在屏幕上

    7. 高冷却效果

    8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机

    9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好

    10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具

     

     Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP 380

     

    伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数:

    射频离子源型号

    RFICP 380

    Discharge 阳极

    射频 RFICP

    离子束流

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    30 cm Φ

    离子束

    聚焦平行散射

    流量

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    39 cm

    直径

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    运行结果:

    1. 有效去除溅射沉积时带来的污染物

    2. 提高了薄膜磁盘的均匀度

    3. 获得具有高矫顽力、高剩磁、高稳定性的连续薄膜型的记录介质

     

    若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

    上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
    ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
    www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

    伯东版权所有翻拷必究!

在线询盘/留言
  • 免责声明:以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责,本网对此不承担任何保证责任。我们原则 上建议您选择本网高级会员或VIP会员。
    0571-87774297