某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.
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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
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真空腔 |
1 set, 主体不锈钢,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
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离子源 |
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
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离子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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极限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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刻蚀性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
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离子源型号 |
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Discharge |
DC 热离子 |
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离子束流 |
>250 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
7.5 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-15 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
20.1 cm |
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直径 |
14 cm |
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中和器 |
灯丝 |
无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.
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