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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
产品价格:¥11
上架日期:2021-01-11 15:47:19
产地:美国
发货地:本地至全国
供应数量:不限
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详细说明

    为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W .

     

    KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

    射频离子源型号

    RFICP380

    Discharge 阳极

    射频 RFICP

    离子束流

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    30 cm Φ

    离子束

    聚焦平行散射

    流量

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    39 cm

    直径

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    上图为磁控溅射系统工作示意图

     

    KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.

     

    客户材料:

    基片为φ25mmX4mm 的玻璃片靶纯度 99.9%尺寸 φ76mmX4mm铜靶纯度 99.99%尺寸 φ76mmX4mm工作气体为纯度 99.99% 的氩气.

     

    运行结果:

     W 含量在11.1%Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.

     

    伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计美国 KRI 考夫曼离子源美国HVA 真空阀门美国 inTEST 高低温冲击测试机美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

     

    若您需要进一步的了解详细信息或讨论请参考以下联络方式:

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