产品简介
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
产品价格:¥1
上架日期:2021-03-19 15:52:12
产地:美国
发货地:本地至全国
供应数量:不限
最少起订:1台
浏览量:247
资料下载:暂无资料下载
其他下载:暂无相关下载
详细说明

    WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在许多领域有着良好的发展前景.

     

    河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射 WS薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响.

     

    KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

    射频离子源型号

    RFICP380

    Discharge 阳极

    射频 RFICP

    离子束流

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    30 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    39 cm

    直径

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    在磁控溅射沉积薄膜的实验中, 工艺参数(如沉积压力、沉积温度、溅射功率等)对 WS2 薄膜的结构和性能影响很大. 为制备摩擦磨损性能优良的 WS2 薄膜, 需要系统研究磁控溅射沉积 WS2 薄膜的工艺方法.


    磁控溅射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄气体在低压真空环境中发生辉光放电, 如果薄膜沉积时工作气压过低(<0.1 Pa), 靶材不能正常起辉;沉积压力过高(>10 Pa), 真空室内等离子体密度高, 溅射粒子向基体运动中发生碰撞多, 平均自由程减小, 以致无法到达基体表面进行沉积.

    因此, 合适的沉积压力是磁控溅射沉积 WS2 薄膜的一个重要工艺参数.

     

    KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

     

    若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

    上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
    ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
    www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

    伯东版权所有,  翻拷必究!

在线询盘/留言
  • 免责声明:以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责,本网对此不承担任何保证责任。我们原则 上建议您选择本网高级会员或VIP会员。
    企业信息
    伯东企业(上海)有限公司
    会员级别:
    ------------ 联系方式 ------------
    联系人:罗(先生)
    联系电话:21-5046-1322
    联系手机:15201951076
    传真号码:-
    企业邮箱:marketing@hakuto-vacuum.cn
    网址:bdqysh.jdzj.com
    邮编:
    推荐供应
    0571-87774297