产品简介
5D压敏电阻 7D压敏电阻 10D压敏电阻 14D压敏电阻
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产品价格：￥0.1
上架日期：2012-04-21 11:41:57
产地：东莞市长安镇
发货地：东莞市长安镇上沙第一工业区
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详细说明
    5D压敏电阻 7D压敏电阻 10D压敏电阻 14D压敏电阻

                东莞市宇顺塑胶电子有限公司

               东莞压敏电阻厂家：www.yusundg.com

    一、    电压范围宽（18V～1800V）
    非线性系数大
         通流容量大
         响应时间快（≤20ns）
     
    二、主要用途径
    半导体器件保护
    家用电器浪涌过电压保护
    通信、测量、控制仪器浪涌过电压保护
    电磁阀、继电器操作过电压保护

    三、压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合。压敏电阻器可以对IC及其它设备的电路进行保护，防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流（如雷击等）而造成对它们的损坏。使用时只需将压敏电阻器并接于被保护的IC或设备电路上，当电压瞬间高于某一数值时，压敏电阻器阻值迅速下降，导通大电流，从而保护IC或电器设备；当电压低于压敏电阻器工作电压值时，压敏电阻器阻值极高，近乎开路，因而不会影响器件或电器设备的正常工作。

    四、产品应用
              产品应用：开关电源电源适配器 LED照明电源电脑电源打印机家用电器镇流器光伏控制设备通信设备等产品中。 
    压敏电阻，我的阿里巴巴产品目录：http://guoguanhui888.cn.alibaba.com

    五、产品认证
             产品已通过UL、CUL、VDE、CCC、CQC、CSA、PSE等世界各国安规认证！

    六、我们的服务
              品质一流价格实在交货期快用心服务，热诚欢迎您来电咨询，洽谈。 

              欢迎来电、邮件询价、索取样品！ 

              因为我们一直在用心在服务，所以您一定会满意！


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    东莞电解电容厂家：www.ysdianzi.com
      片式压敏电阻器（VARISTOR）是压敏电阻器的一种.它是用氧化锌非线性电阻元件作为核心而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌（ zn0 ）为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。
      
       它的基本特性是电流一电压关系的非线性。当加在它两端的电压低于某个阀电压，即    “压敏电压”时，它的电阻值极大，为兆欧级；而当加在它两端的电压超过压敏电压后，电阻值随电压的增高急速下降，可小到欧姆级、毫欧姆级。压敏电阻器与普通电阻器不同，普通电阻器遵守欧姆定律，而片式压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当片式压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时，其电阻值接近无穷大，内部几乎无电流流过。当片式压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时，它将被迅速击穿导通，并由高阻状态变为低阻状态，工作电流也急剧增大。
             

       当其两端电压低于标称额定电压时，片式压敏电阻器又能恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端电压超过其最大限制电压时，压敏电阻器将完全击穿损坏，无法再自行恢复。一般而言,片式压敏电阻器的制作工艺流程如下:叠层,切割,排胶,烧结,倒角,涂敷,端电极,电镀. 
       

      我们在讨论ZOV的制作之前，首先应该学习一下ZOV的导电机理，因为导电机理和微观形成机理是进行讨论和研究的基础。对此，作者推荐两篇论文，一篇是谭宜成博士的《ZnO压敏瓷主晶界高非线性形成机理》(1987年博士论文)。该文详细叙述了ZnO压敏瓷的研制过程，用热离子发射、热助场发射、场发射理论，解释了正反偏肖特基势垒的电压-电流特性，用FromRel-Poolt发射、遂道效应、热激发跃迁、空间电荷限制电流理论，解释了薄绝缘层中的电压-电流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他对主晶界、次晶界的形成理论、形成过程及其对电性能的影响作了很详细的研究，尤其是对致密化过程的研究很有实用价值。
                               
      
       还有一篇是《Zine Oxide Varistor》(IEEE.Electrieal Insulatcon Magazine D.C VOL1.91.P50)，该文叙述了从1968年Matsouka发明ZnO压敏电阻以来至1987年Suzuoki提出空间电荷引起的电流理论，这20年间压敏陶瓷导电机理的发展。详细叙述了8个模型：
    ①在富铋晶界层内建立的"空间电荷限制电流"模型；
    ②莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面处通过薄层的遂道效应"模型；
    ③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶间相异质结的"界面态肖特基势垒遂道效应"模型；
    ④Maham提出的"通过具有空穴形成的肖特基势垒遂道效应"模型，此模型提出了晶界处少数载流子（空穴）的重要性；
    ⑤Einzinger提出的"通过ZnO同质结构的遂道效应"模型，此模型指出了冷却时在晶界形成缺陷的热平衡的重要性；
    ⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴积聚使晶界处势垒降低造成了压敏陶瓷的高非线性，空穴是由于耗尽区的加速电子产生的，势垒的大小取决于体陷井和界面态"
    ⑦莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"有异质结的旁路效应"模型，此模型阐明了富铋晶界层在小电流区的重要作用，并假设了通过异质结和富铋晶界层的平行电流通路，此模型提出于1986年，至今仍在行业中沿用；
    ⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜组成的"异质结外引起的空间电荷电流"模型。

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