AB 800FP-LSB35 PCL 模块 美国原装进口
我们正处在第二代半导体材料(硅)和第三代半导体材料发展的节点上,随着信息技术的突飞猛进,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、电力电子和微波射频器件的关键技术和材料支撑。2018年3月,中国科技部高新司在高质量第三代半导体材料关键技术上实现了新突破,据相关工作人员对OFweek电子工程网介绍,该项目完成了两英寸GaN自支撑衬底的规模化生产,实现了高Al组分AlGaN基深紫外光泵浦激射,开发了基于钙钛矿氧化物材料的紫外光电探测器件原型,为氮化镓的早日量产实现了技术的新突破。
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