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igbt模块,功率igbt,大量现货供应,库存充足
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产品价格:¥不限
上架日期:2021-03-04 14:13:55
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详细说明

    上海黎雨自动化设备有限公司13162007958同步微信QQ;3452476319

    英飞凌igbt模块·开关频率:
    Infineon有8种IGBT芯片供客户选择。IGBT命名方式中,能体现IGBT芯片的年代。Infineon目前共有5代IGBT:代和代采用老命名方式,一般为BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。代IGBT开始,采用新的命名方式。命名的后缀为:T3,E3,P3。IGBT命名的后缀为:T4,S4,E4,P4。第五代IGBT命名后缀为5。大家选择的时候,尽量选择一代的IGBT,芯片技术有所改进,IGBT的内核温度将有很大的提升。第三代IGBT能耐150度的极限高温。第四代IGBT能耐175度的极限高温。第五代据说能耐200度的极限高温。补充:是极限高温,不是正常工作的温度。
    各代的IGBT芯片都有自己适合工作的开关频率,不能乱选型。具体如下:
    后缀类型
    开关频率(KHz)
    饱和压降(V)
    DLC
    1 KHz ~8 KHz
    2.10V
    DN2
    10 KHz ~20KHz
    2.50V
    S4
    15 KHz ~30KHz
    3.20V
    E3
    1 KHz ~10 KHz
    1.70V
    T3
    8 KHz ~15KHz
    1.70V
    P4
    1 KHz ~8 KHz
    1.75V
    E4
    1 KHz ~12 KHz
    1.75V
    T4
    8 KHz ~20KHz
    1.75V
    IGBT的“损耗”包括“导通损耗”和“开关损耗”。饱和压降只决定“导通损耗”。而“开关损耗”则由IGBT芯片本身决定。当开关频率很高时:导通的时间相对于很短,所以,导通损耗只能占一小部分。而绝大部分的损耗则是由“开关损耗”决定的。而S4芯片,优化了“开关损耗”,使其减少。达到“损耗”总体减少的目标。这个也是为低开关频率的IGBT芯片,为何饱和压降小的原因。低开关频率,“损耗”就主要由“导通损耗”决定了,所以,需要降低饱和压降。

    英飞凌igbt模块
     
    
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