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英飞凌igbt模块·开关频率:
Infineon有8种IGBT芯片供客户选择。IGBT命名方式中,能体现IGBT芯片的年代。Infineon目前共有5代IGBT:代和代采用老命名方式,一般为BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。代IGBT开始,采用新的命名方式。命名的后缀为:T3,E3,P3。IGBT命名的后缀为:T4,S4,E4,P4。第五代IGBT命名后缀为5。大家选择的时候,尽量选择一代的IGBT,芯片技术有所改进,IGBT的内核温度将有很大的提升。第三代IGBT能耐150度的极限高温。第四代IGBT能耐175度的极限高温。第五代据说能耐200度的极限高温。补充:是极限高温,不是正常工作的温度。
各代的IGBT芯片都有自己适合工作的开关频率,不能乱选型。具体如下:
后缀类型
开关频率(KHz)
饱和压降(V)
DLC
1 KHz ~8 KHz
2.10V
DN2
10 KHz ~20KHz
2.50V
S4
15 KHz ~30KHz
3.20V
E3
1 KHz ~10 KHz
1.70V
T3
8 KHz ~15KHz
1.70V
P4
1 KHz ~8 KHz
1.75V
E4
1 KHz ~12 KHz
1.75V
T4
8 KHz ~20KHz
1.75V
IGBT的“损耗”包括“导通损耗”和“开关损耗”。饱和压降只决定“导通损耗”。而“开关损耗”则由IGBT芯片本身决定。当开关频率很高时:导通的时间相对于很短,所以,导通损耗只能占一小部分。而绝大部分的损耗则是由“开关损耗”决定的。而S4芯片,优化了“开关损耗”,使其减少。达到“损耗”总体减少的目标。这个也是为低开关频率的IGBT芯片,为何饱和压降小的原因。低开关频率,“损耗”就主要由“导通损耗”决定了,所以,需要降低饱和压降。
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