铬-硅粉末冶金作业和它受力工效解析
    实验许多金属硅化物本研究以应用较为广泛的商用Cr-Si材料，分别按m（Cr）∶m（Si）=35∶65及m（Cr）∶m（Si）=50∶50两种质量比例配成原始粉末，采用传统粉末冶金工艺―球磨混合、压坯、真空烧结后观察其致密性，然后再利用热等静压处理以进一步提高靶材的性能<1419>；另一方面，将相同原始粉末按不同制备工艺制备的两种材料逐步地进行各项测试与比较。欢迎光临公司官网http://www.yihuokeji.com
　　按照传统粉末冶金法，利用球磨将Cr-Si粉末混合后，再以油压机压制成形，最后用冷等静压（CIP）增加生坯的密度。将压好的生坯在真空下进行烧结，得到Cr-Si合金试片。依据Cr-Si相图以及相关文献<2022>，选定Cr35-Si65的烧结温度为1300、1320与1340℃，而Cr50-Si50的烧结温度依次提高到1400、1410与1420℃。升温时分别在250℃与850℃保温1h，再行升温至烧结温度保温1h，期间升温速率皆为10℃／min.烧结升温曲线如所示。在真空烧结后，利用对材孔隙率、晶体料结构、电阻特性与显微组织的测量与观察，探讨烧结温度对Cr-Si材性能的影料响。
　　孔隙率测试是按照ASTMC373规范，先将试片放在烘箱之中至少烘干12h以上来测量干质量（md），再将其置入水中煮沸5h以将试片开孔内的气体逼出，最后将其静置24h以利水渗入试片的孔隙内。测量其含饱和水的质量（mw）与悬浮质量（ms），即可计算孔隙率：P=（mwmd）/（mwms）×100%.
　　结果与讨论孔隙率所示为坯体经过烧结后的孔隙率变化图。从图中发现：不论Cr35-Si65或者Cr50-Si50，两者的孔隙率皆随着烧结温度提高而显著下降。尤其是Cr35-Si65，在温度提高到1340℃时孔隙率有非常明显的下降，从而使致密度提高；而Cr50-Si50的孔隙率，则会在1410℃时有明显的转折。根据相图分析，这2个转折点的产生都是因为坯体开始有液相烧结产生所致，这使孔隙被有效填充，并进一步使得坯体可能有部分熔化。此时，坯体的收缩也相当可观，所以在制作大尺寸坯体的时候，需要做相当程度的尺寸预，方能得到孔隙率留较低的成品。