| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 21 | ||
| 数量 | 300 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | ChassisMount | ||
| 封装/箱体 | SOT-227-4 | ||
| 通道数量 | 1Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 100V | ||
| Id-连续漏极电流 | 180A | ||
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8mOhms | ||
| Vgs-栅极-源极电压 | 20V | ||
| 最小工作温度 | -55C | ||
| 最大工作温度 | 150C | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 9.6mm | ||
| 长度 | 38.23mm | ||
| 晶体管类型 | 1N-Channel | ||
| 宽度 | 25.42mm | ||
| 上升时间 | 90ns | ||
| 单位重量 | 30g | ||
| 品牌 | IXYS | ||
| 型号 | IXFN180N10 | ||
| Pd-功率耗散 | 600W | ||
| 系列 | IXFN180N10 | ||
| 下降时间 | 65ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 140ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 50ns | ||
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