| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | DIODES | ||
| 封装 | DFN | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 4471 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| 安装风格 | Si | ||
| 封装 / 箱体 | SMD/SMT | ||
| 晶体管极性 | X1-DFN1212-3 | ||
| 通道数量 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 Channel | ||
| Id-连续漏极电流 | 20 V | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 900 mA | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 600 mOhms | ||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 12 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 450 mV | ||
| 最小工作温度 | 0.7 nC | ||
| 最大工作温度 | - 55 C | ||
| Pd-功率耗散 | 150 C | ||
| 通道模式 | 0.89 W | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | DMN2450UFB4-7B | ||
.jpg "DMN2450UFB4-7B电子元器件DIODES封装DFN批号23")
