| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批号 | 最新 | ||
| 封装 | 单片包装 | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 晶向 | （111）、（110） | ||
| 直径 | 2、3、4英寸 | ||
| 应用 | 半导体器件 | ||
| 可售卖地区 | 全国 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | N型、P型 | ||
砷化铟（InAs）是一种由铟和砷组成的直接跃迁半导体，类似于砷化镓，其禁带宽度为0.45eV（300K）。其外观为灰色立方晶体，熔点为942°C，晶格常数为0.6058nm，砷化铟晶体结构为闪锌矿结构。砷化铟以其高电子迁移率和窄能带隙而众所周知，被广泛用作太赫兹辐射源。
可供N型和P型半导体砷化铟晶片，规格参数如下：
1. 砷化铟单晶片规格
2. InAs晶片应用
InAs单晶具有高电子迁移率，是制造霍尔器件的理想材料。此外，InAs晶片的发射波长为3.34μm，在InAs衬底上可以生长晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纤通信激光器和探测器。
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