高Q高频电容器适用于微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、滤波器、振荡器、计时电路、天线调谐、磁共振成像系统等设备中起耦合、调谐、旁路、隔直作用；

产品详情
高Q高频电容器适用于微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、滤波器、振荡器、计时电路、天线调谐、磁共振成像系统等设备中起耦合、调谐、旁路、隔直作用；

1.特点

尺寸规格系列化，适用于混合集成电路或印刷电路的表面贴装元件；

具有高Q值、低ESR、可靠性高的特点；

损耗低、电容量稳定性高、工作频率最高可达3GHz；

国军标生产线生产；

军用通讯、雷达、炮弹引信、舰船及航空、航天、武器系统的地面电子设备及民用高端设备；

使用于各类设备中的高频电路、VHF-微波段、射频及放大电路中。



2.主要性能指标

温度系数：C0G：0±30ppm/℃；

电容量漂移：不超过±0.2或±0.05pF，取较大者；

品质因数（Q值）：频率为1MHz/1KHz时大于2000

老化特性：无；

绝缘电阻；在20℃下：≥100000MΩ

工作温度：-55~125℃



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