可供常规碳化硅（SiC）外延片与定制结构外延片，包括同质外延与异质外延，用于碳化硅器件的开发。我们通常使用化学气相沉积（CVD）方法在碳化硅衬底上沉积一层单晶或多层单晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同质外延片是通过在导电碳化硅衬底上生长碳化硅外延层来制备的，进一步制成功率器件。具体可参考下方所列碳化硅外延片规格，该外延片可用于制备MOS电容器：

1. 碳化硅外延片参数表

2. 为什么我们需要碳化硅基底外延片？
外延是整个半导体产业流程中的一个重要过程。由于器件不能直接在碳化硅单晶材料上制造，且几乎是通过外延生长获得的，碳化硅外延片的质量将对器件的性能产生很大影响。此外，外延层处于整个半导体工艺的中间位置，这在很大程度上受到晶体和衬底工艺的影响。总之，碳化硅外延工艺在器件的制备中起着重要作用。
随着碳化硅功率器件制造要求和耐压水平的提高，碳化硅外延片发展方向继续朝着低缺陷、厚外延生产。近年来，薄碳化硅外延材料（＜20μm）的质量不断提高。外延材料中的微管缺陷已经被消除。然而，SiC外延缺陷，如跌落、三角形、胡萝卜状、螺旋位错、基面位错、深能级缺陷等，成为影响器件性能的主要因素。随着碳化硅外延片工艺流程的发展，外延层的厚度从过去的几微米和几十微米发展到现在的几十微米和几百微米。其中，20um及以下的外延技术成熟度较高。表面缺陷密度降低到小于1/cm2，位错密度从105/cm2降低到103/cm2，基面位错转化率接近100，基本满足外延材料大规模生产SiC器件的要求。

3. 碳化硅外延片的应用领域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，应用于射频（如：5G通信、雷达）、新能源汽车、固态光源等领域。

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