| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批号 | 最新 | ||
| 封装 | 单片包装 | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 晶向 | （100）、（111） | ||
| 晶格常数 | 5.6419A | ||
| 带隙 | 1.4eV | ||
| 可售卖地区 | 全国 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 用途 | 半导体器件应用 | ||
| 型号 | N、P、半绝缘型 | ||
砷化镓（GaAs）是一种由镓和砷元素构成的重要的直接带隙半导体材料，属于III-V族化合物半导体，闪锌矿晶格结构，晶格常数为5.6419A，熔点为1237°C，带隙为1.4eV。砷化镓半导体材料通常用于外延生长其他III-V半导体材料，包括砷化铟镓（InGaAs），砷化铝镓（AlGaAs）等。可提供砷化镓单晶及衬底片，砷化镓衬底晶片参数如下：
1. 砷化镓衬底规格参数
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2. 砷化镓晶片用途
砷化镓衬底可用于制造微波频率集成电路，单片微波集成电路，红外发光二极管（LED），激光二极管（LD），太阳能电池和光学窗口等设备。
此外，砷化镓可以制成半绝缘高电阻材料，可用于制造红外探测器、伽马光子探测器等。由于其电子迁移率是硅的5到6倍，因此半绝缘砷化镓晶圆在微波器件和高速数字电路的制造中得到了重要应用。砷化镓半导体器件具有高频、高温、低温性能、低噪声、抗辐射能力强等优点，使砷化镓衬底晶片市场需求不断扩大。
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