锑化铟（InSb）是由元素铟（In）和锑（Sb）制成的结晶化合物，具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。它是III-V族的窄间隙半导体材料，可提供2”, 3”, 4” 锑化铟单晶片，参数如下：

1. 锑化铟单晶片规格参数

2. 锑化铟单晶片特性
2.1 物理性质
InSb 外观为深灰色银色金属颗粒或具有玻璃光泽的粉末。当加热超过 500°C 时，它会熔化并分解，释放出锑和氧化锑烟雾。晶体结构为闪锌矿，晶格常数为 0.648 nm。
分子量：236.58
外观：深灰色金属晶体
熔点：527°C
密度：5.78 g/cm3
水中溶解度：不溶
2.2 电子特性
InSb?属于窄带隙半导体，能带隙在 300 K 时为 0.17 eV，在 80 K 时为 0.23 eV。除碳纳米管外，未掺杂的 InSb 拥有高于已知半导体材料的室温电子迁移率（78000 cm2/Vs），电子漂移速度和弹道长度（在 300 K 时可达 0.7 m）。

3.?锑化铟单晶片的用途
1）红外探测领域：制成红外焦平面探测器，用于天文观测（收集太空红外图像）、红外成像（应用领域涵盖安全监视、辅助驾驶、工业检测等各领域）、集成探测等
2）?磁敏器件

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