| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批号 | 最新 | ||
| 封装 | 单片包装 | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 晶体结构 | 纤锌矿晶体结构 | ||
| 带隙 | 3.4eV | ||
| 有效面积 | >90 | ||
| 总厚度变化 | ≤15um | ||
| 弯曲度 | ≤20um | ||
| 抛光 | 正面：外延级抛光；背面：精磨 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 可售卖地区 | 全国 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | N型，半绝缘型 | ||
氮化镓（GaN）是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元III / V族直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。可供氢化物气相外延（HVPE）技术生长导电型与半绝缘型氮化镓单晶衬底晶片，晶片参数大致如下：
1. 氮化镓晶片规格参数
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2. 氮化镓衬底的应用场景
1）GaN衬底可制备发光二极管（LED）与紫外激光二极管（LD）；
2）它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。
3）由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此太空应用也可能受益。
4）由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。
更多GaN单晶衬底产品信息或疑问请邮件咨询：vp@honestgroup.cn
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