产品简介
光刻胶AZ胶正胶负胶AZ5214EAZ5200EAZ4562AZ1500系列
光刻胶AZ胶正胶负胶AZ5214EAZ5200EAZ4562AZ1500系列
产品价格:¥4200.00
上架日期:2024-11-01 19:55:13
产地:江苏苏州
发货地:江苏苏州
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌默克
    产品名称AZ胶 光刻胶 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列
    产品规格125ml、250ml、500ml
    用途范围适用于高分辨率工艺
    是否进口
    加工定制
    包装规格1kg
    容量125ml、250ml、500ml
    可售卖地北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏
    型号AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500

    AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm,AZ5200E系列匀胶厚度为:0.5μm~6μm。

    AZ5214E特征:

    1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺);

    2) 适用于正/负图形;

    3) 很宽的膜厚范围。

    AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件:

    前烘?:100℃ 60秒 (DHP);

    曝光?:I线步进式曝光机/接触式曝光机;

    反转烘烤?:110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒;

    全面曝光?:310~405nm

    ?(在曝光光源下全面照射);

    显影?:AZ300MIF (2.38) 23℃ 30~60秒Puddle;

    ? ? ? ? :AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping;

    ? ? ? ? :AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping;

    清洗?:去离子水30秒;

    后烘?:120℃ 120秒 (DHP);

    剥离?:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化;

    产品型号:

    型号

    AZ5206E

    AZ5214E

    AZ5218E

    AZ5200NJ

    粘性

    7mPa

    25mPa

    40mPa

    85mPa

    ?

    AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。

    特征:

    1) 高对比度,高感光度

    2) 高附着性,对电镀工艺高耐受性

    3) 多种粘度可供选择

    参考工艺条件:

    前烘?:100℃ 90秒以上 (DHP)

    曝光?:G线步进式曝光机/接触式曝光系统

    显影?:AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

    清洗?:去离子水

    后烘?:120℃ 60秒以上

    剥离?:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

    产品型号:

    型号

    AZ P4210

    AZ P4330

    AZ P4400

    AZ P4620

    AZ P4903

    粘性

    49mPa

    115mPa

    160mPa

    400mPa

    1550mPa

    ?

    AZ?4500系列??AZ4562

    具有最佳粘附力的厚光刻胶

    特点:

    AZ???4500系列AZ???4533AZ???4562)是正性厚光刻胶,在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能:

    l??优化对所有常见基材的附着力

    l??宽广的工艺参数窗口,可实现稳定且可重复的光刻工艺

    l??与所有常见的显影液兼容(基于KOH或TMAH)

    l??与所有常见的去胶剂兼容(例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂)

    l??对g,h和i线敏感(约320-440 nm)

    l??光刻胶厚度范围约?3-30微米

    ?

    AZ???4500系列AZ???4533AZ???4562)的溶剂浓度不同,因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围:

    光刻胶型号

    光刻胶膜厚范围

    包装规格

    AZ???4533

    转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 μm;通过改变转速,膜后可达2.5-5 μm。

    多规格包装,如1L、2.5L等

    AZ???4562

    转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 μm;通过改变转速,膜后可达4.5-10 μm;调整旋转轮廓(中等旋涂速度下短时间旋涂),可达30 μm膜厚。

    多规格包装,如1L、2.5L等


    若光刻胶膜厚度 30 μm?

    通常,AZ?4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而,在该厚度范围内,软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外,如果涂得太厚,AZ?4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此,对于厚度大于30 μm的光刻胶膜厚度,强烈建议使用化学放大的AZ?40 XT光刻胶。

    显影液——适用于AZ???4500光刻胶

    如果可以使用含金属离子的显影液,可使用1:4稀释的KOH基AZ?400K作为显影液(对于更高的光刻胶膜厚度,可用1:3.5 - 1:1的稀释浓度)。

    如果必须使用不含金属离子的显影液,我们建议使用基于TMAH基的AZ?326 MIF,AZ?726 MIF或AZ?826 MIF显影剂(未稀释)。

    ?

    去胶剂——适用于AZ???4500光刻胶

    对于非交联的光刻胶薄膜,可以使用AZ?100作为去胶剂,DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联(例如,在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时,> 140°C的高温步骤时),我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。


    EM胶

    电子束光刻胶

    型号

    光源

    类型

    分辨率

    厚度(um)

    适用范围

    SU-8 GM1010

    电子束

    负性

    100nm

    0.1-0.2

    可用于做高宽比较大的纳米结构。

    HSQ
    XR-1541-002/004/006

    电子束

    负性

    6nm

    30nm~180nm

    分辨率最好的光刻胶,抗刻蚀。

    HSQ Fox-15/16

    电子束

    负性

    100nm

    350nm~810nm

    分辨率最好的光刻胶,抗刻蚀。

    PMMA(国产)

    电子束

    正性

    高分辨率,适用于各种电子束光刻工艺,最常用的电子束光刻正胶。

    PMMA(进口)

    电子束

    正性

    MicroChem,各种分子量,适用于各种电子束光刻工艺,最常用的电子束光刻正胶。


    PMGI&LOR Lift-off光刻胶<

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