| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | DFIRST FF | ||
| 封装/规格 | 0402/3DFN(0.6x1) | ||
| 极性 | 单向 | ||
| 反向截止电压 | 5V | ||
| 最小击穿电压 | 6V | ||
| 最大击穿电压 | 8V | ||
| 反向漏电流 | 1NA | ||
| 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs | 200w | ||
| 最大钳位电压 | 15V | ||
| 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs | 200w | ||
| 包装 | 卷 | ||
| 最小包装量 | 10000 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | DL0521P0L | ||
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订货型号 | DL0521P0L |
品牌 | 常州鼎先电子有限公司 |
产品线 | Ultra Low Capacitance B-directional TVS Diode ESD TVS低容二极管 |
型号系列 | DL0521P0L |
品类 | 二极管 |
描述/说明 | 1-Line Bi-directional TVS Diode,VRWM:5V,VBR:6V,Cj Max:0.25pF,IPP@8/20us:8A,Vc@Max IPP:12.5V,PPP:100W |
封装/外壳/尺寸 | DFN0603-2 |
包装形式 | 盘装? |
生命周期 | 量产中(ACTIVE) |
最小包装量 | 10000/Tape & Reel |
VRWM(V) | 5 |
VBR(V) | 6 |
Cj Max（pF) | 0.25 |
IPP@8/20us(A) | 8 |
Vc@Max IPP(V) | 12.5 |
PPP(W) | 100 |
针对智能手机Type-C接口静电防护电路设计，DL0521P0L，采用硅工艺制造，工作电压5V，峰值脉冲功率100W，反向漏电流0.2μA，ESD防护等级满足IEC61000-4-2标准±20kV（接触放电）/±25kV（空气放电），以下是DL0521P0L的主要电气参数：
DL0521P0L采用半导体硅工艺设计，根据IEC61000-4-2，它可用于提供±20kV（接触放电）/±25kV（空气放电）的ESD保护，使手机Type-C接口芯片免受静电损伤，提高产品可靠性。
2、由于Type-C接口可以支持USB 2.0、3.0、3.1 Gen1或者3.1 Gen2等多种标准，数据传输速率高，因此要求ESD器件结电容尽量低，否则会影响信号传输质量，DL0521P0L的结电容低至0.25pF，可以保证高速信号传输完整性。
3、手机内部空间有限，要求器件体积尽量小，DL0521P0L的封装尺寸是0.6*0.3*0.3mm，节省PCB占用面积，增加电路设计灵活性.
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