| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| MOCVD/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓（GaN）薄膜片 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批号 | 最新 | ||
| 封装 | 单片包装 | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 品名 | 氮化镓外延片 | ||
| 外延技术 | MOCVD | ||
| 尺寸 | 2、4、6英寸 | ||
| 结构 | 可定制生长 | ||
| 外观 | 薄膜片 | ||
| 外延应用 | LED、LD、HEMT器件制备 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 可售卖地区 | 全国 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | 蓝宝石、硅、碳化硅基 | ||
目前，GaN外延生长方法有氢化物气相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）。目前，大多数商用器件都是基于GaN异质外延的，主要衬底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和蓝宝石（Sapphire）。
可供硅/碳化硅/蓝宝石基氮化镓(GaN on Si/SiC/Sapphire) 外延片，主要应用于HMET, LED, LD等器件制备。具体参数以HEMT外延片为例：
SiC/Si基GaN HEMT典型外延结构
1. GaN on SiC HEMT外延
由于碳化硅具有优异的导热性，与氮化镓的高功率密度和低损耗相结合，该类外延片是射频器件的合适材料，目前碳化硅基氮化镓外延片的主流尺寸为在4寸与6寸。
目前，GaN-on-SiC外延片主要应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器（PA）。
2. GaN-on-Si?HEMT外延
由于硅是最成熟和成本最低的衬底材料，且硅的生长速度很快，因此在硅基上外延氮化镓可以有效降低成本，同时可制作大尺寸外延片。
GaN on Si HEMT外延有常开型即耗尽型（D型）和常关型即增强型（E型）两种。
3. GaN-on-Sapphire HEMT外延
该外延片目前主流尺寸为4寸，具有良好的均匀性、高击穿电压、极低的缓冲区泄漏电流、高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻，用于射频和功率半导体器件。
GaN on Sapphire HEMT典型外延结构
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