| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批号 | 最新 | ||
| 封装 | 单片包装 | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 直径 | 2、3、4英寸 | ||
| 晶向 | （100）、（111） | ||
| 抛光 | 单面、双面 | ||
| 使用 | 开盒即用 | ||
| 掺杂类型 | Zn、Te | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | N型、P型 | ||
锑化镓（GaSb）单晶属于III-V族化合物材料，具有较小的带隙，在室温下其能带隙为 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下为 0.81 eV (1.53 μm)。该材料适用于工作在红外区域的光电器件和波长范围为 1-5 μm 的电子器件。可提供锑化镓晶片，参数如下仅供参考：
1. GaSb 单晶片
2.?GaSb单晶特性
2.1 化学性能
2.2 电气性能
2.3 热学、机械和光学性能
3. GaSb单晶应用
GaSb晶片可用于制备红外探测器、红外LED、激光器和晶体管以及热光电系统。
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