产品简介
onsemi(安森美)NTB6410ANT4G封装D2PAK集成电路批次2306
onsemi(安森美)NTB6410ANT4G封装D2PAK集成电路批次2306
产品价格:¥3.00
上架日期:2025-01-09 04:17:57
产地:上海上海
发货地:上海上海
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌onsemi(安森美)
    产品特性过温保护
    电源电压FPF3380UCX
    封装2022 封装
    系列FPF
    批号2021 、2023
    特色服务强大的ESD性能
    产品说明高达 28V的过压保护
    包装全新原装
    应用领域电工电气
    可售卖地全国
    用途工业设备
    类型通信IC
    型号FPF3380UCX

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    性能:

    1. 高电流承受能力:漏极电流可达300mA。

    2. 低导通电阻:漏极-源极导通电阻仅为3.5Ω。

    3. 低阈值电压:阈值电压为1.8V,可以在低电压下工作。

    4. 快速开关速度:开关时间仅为10ns。

    应用:

    1. 电源开关:可以用于电源开关控制,如电池保护电路、DC-DC转换器等。

    2. 信号放大:可以用于信号放大,如音频放大器、信号放大器等。

    3. 电机驱动:可以用于电机驱动,如步进电机驱动、直流电机驱动等。

    4. LED驱动:可以用于LED驱动,如LED灯带控制、LED屏幕控制等。

    总之,2V7002LT1G是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET晶体管

    术参数

    品牌:ON/安森美
    型号:NTB6410ANT4G
    封装:D2PAK
    批号:23
    数量:16290
    制造商:ON Semiconductor
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:TO-263-3
    通道数量:1 Channel
    晶体管极性:N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:100 V
    Id-连续漏极电流:76 A
    Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
    Qg-栅极电荷:120 nC
    最小工作温度:- 55 C
    工作温度: 175 C
    Pd-功率耗散:188 W
    配置:Single
    系列:NTB6410AN
    晶体管类型:1 N-Channel
    正向跨导 - 最小值:40 S
    下降时间:190 ns
    上升时间:170 ns
    典型关闭延迟时间:120 ns
    典型接通延迟时间:17 ns
    单位重量:4 g


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