品牌：建准SUNDN
型号：DP200A P/N2123HBL滚珠轴承
规格：120*120*38mm
0.13mm铜线，品质保证。
边长中心孔矩：105*105mm
电流：0.14A
电压：220v
结构：金属外壳，一次成型注塑扇叶。
包装：40台/箱，独立纸包装具有合格认证
制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
优点：有感，高频特性好，体积较小
缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。
用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦
无极性瓷片电容
制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。
优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）
缺点：易碎，容量低
无极性云母电容
制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜
优点：容易生产，技术含量低。
缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感
有极性电解电容
制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。
优点：容量大。
缺点：高频特性不好。
钽电容
制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。
优点：稳定性好，容量大，高频特性好。
缺点：造价高。
聚酯（涤纶）电容
符号：CL
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
聚苯乙烯电容
符号：CB
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
聚丙烯电容
符号：CBB
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
云母电容
符号：CY
电容量：10p--0。1u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
高频瓷介电容
符号：CC
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
低频瓷介电容
符号：CT
电容量：10p--4。7u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
玻璃釉电容
符号：CI
电容量：10p--0。1u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
铝电解电容
符号：CD
电容量：0。47--10000u
额定电压：6。3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）
电容量：0。1--1000u
额定电压：6。3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等
薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
薄膜介质微调电容器
符号： 可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
陶瓷介质微调电容器
符号： 可变电容量：0。3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回
