电容器自身的发热特性测量，应在将电容器温度极力抑制为对流、辐射产生的表面放热或治具传热产生的放热状态下进行。此外，在电容率的电压依赖性为非线形的高电容率类电容器中，需同时观察加在电容器上的交流电流与交流电压。小容量的温度补偿型电容器应具备100MHz以上高频中的发热特性，因此须在反射较少的状态下进行测量。

  用双极電源将信号发生器的信号增幅，加在电容器上。用电流探头（通用探头）观察此时的电流，使用电压探头观察电容器的电压。同时用红外线温度计测量电容器表面的温度，明确电流、电压及表面温度上升的关系。

  组成系统的设备及电缆类均统一为50Ω，将测量试料装在形成微带线的基板上，两端装有SMA连接器。用高频波放大器（Amplifier）增幅信号发生器（Signal GENERATOR）的信号，用定向耦合器（Coupler）观察反射同时即施加在试料（DUT）上。用衰减器（Attenuator）使通过试料输出的信号衰减，用电力计（Power Meter）观测。同时观测试料表面温度。作为高介电常数的片状多层陶瓷电容器系列发热特性的测量数据，3216型10uF的B特性6.3V的发热特性数据、阻抗和ESR的频率特性。

型号命名：

各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：

第一部分：用字母表示名称，电容器为C。

第二部分：用字母表示材料。

第三部分：用数字表示分类。

第四部分：用数字表示序号。

【使用寿命】：2000H

【工作温度范围】：-55℃~125℃

【容量范围】: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF

【损失角正切(tanδ)】: NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%

【绝缘电阻】: 20℃ 或 500/C Ω ：≥100000MΩ 取两者最小值

【老化速率】: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间

【介质电耐电压】： 100V ≤ V ＜500V :200%

【电容量漂移】：不超过±0.2％或±0.05pF，取较大者。

【品质因数（Q值）】：频率为1MHz时大于5,000

【介质耐电压（测试浪涌电流不超过50mA）】：2.5 UR

【温度系数】：0±30ppm/℃