正确认识电容发热及电容发热的防范:
随着电子设备的小型化、轻量化,部件的安装密度高,放热性低,装置温度易升高。尤其是功率输出电路元件的发热虽对设备温度的上升有着重要影响,但电容器通过了大电流的用途(开关电源平滑用、高频波功率放大器的输出连接器用等)中,起因于电容器损失成分的功率消耗变大,使得自身发热因素无法忽视。因此应还在不影响电容器可靠性的范围内抑制电容器的温度上升。
电容器自身的发热特性测量,应在将电容器温度极力抑制为对流、辐射产生的表面放热或治具传热产生的放热状态下进行。此外,在电容率的电压依赖性为非线形的高电容率类电容器中,需同时观察加在电容器上的交流电流与交流电压。小容量的温度补偿型电容器应具备100MHz以上高频中的发热特性,因此须在反射较少的状态下进行测量。
用双极電源将信号发生器的信号增幅,加在电容器上。用电流探头(通用探头)观察此时的电流,使用电压探头观察电容器的电压。同时用红外线温度计测量电容器表面的温度,明确电流、电压及表面温度上升的关系。
组成系统的设备及电缆类均统一为50Ω,将测量试料装在形成微带线的基板上,两端装有SMA连接器。用高频波放大器(Amplifier)增幅信号发生器(Signal GENERATOR)的信号,用定向耦合器(Coupler)观察反射同时即施加在试料(DUT)上。用衰减器(Attenuator)使通过试料输出的信号衰减,用电力计(Power Meter)观测。同时观测试料表面温度。作为高介电常数的片状多层陶瓷电容器系列发热特性的测量数据,3216型10uF的B特性6.3V的发热特性数据、阻抗和ESR的频率特性。
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宇顺制造0805/1206产品系列,一盘4000PCS/3000PCS,一箱100K。
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首先是陶瓷本体问题-断裂或微裂,这是最常见的问题之一。断裂现象较明显,而微裂一般出在内部,不容易观察到,涉及到片状电容的材质、加工工艺和片状电容使用过程中的机械、热应力等作用因素影响。
其次是片状电容电性能问题。片状电容使用一段时间后出现绝缘电阻下降、漏电。?????
以上两个问题往往同时产生,互为因果关系。电容器的绝缘电阻是一项重要的参数,衡量着工作中片状电容漏电流大小。漏电流大,片状电容储存不了电量,片状电容两端电压下降。往往由于漏电流大导致了片状电容失效,引发了对片状电容可靠性问题的争论。