2MBI200U4B-120-50
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 200
• Vce(sat),Max(V) 2.05
• Ton(us) 1.2
• Toff(us) 1.0
• Rth(j-c),K/W 0.12
• Pc(W) 1040
• 封装 M233
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 低损耗：与标准U系列相比，导通切换的损耗降低30%以上。
• 易于并联
• 更低的电磁噪声
目标应用：
• 变频器
• 有源滤波设备
