包装方式: 编带
商品目录: 场效应管(MOSFET) 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 75V 连续漏极电流(Id) :7.8A 功率(Pd): 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V,7.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250μA